在过去五年中，成都包信和团队在Nature和Science上共发表了两篇文章。

电网(c)b中同一设备的输出特性。建设（e）沉积在MoS2和SiO2衬底上Sb薄膜的光学显微镜图像。

相关研究已经将Rc降低到几百微欧，规划这与由共价键结合组成的M-S结相当，但仍高于M-S结。vdW间隙的存在引入了一个额外的隧道势垒，投资减少了电荷注入，使典型Rc值比量子极限高几个数量级。由于电极材料间存在dW间隙，亿元于天金属-二维半导体的电子波函数杂化耦合较弱，亿元于天导致金属-二维半导体接触稳定性差、接触电阻高、开态电流密度低，限制了器件性能。

府新（d）放大c红色框中的原子分辨率图像。Rc小于共价键结合的M-S触点，成都低至42微欧，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。

(d-f)Sb(0112)和Sb(0001)触点的Rc(d)、电网LT(e)和μint (f)分布。

2.Sb(0112)接触展现出来的优异电学性能、建设稳定性和后端兼容性证明该技术有望成为二维电子器件的核心技术。其中一只狸花色的小奶猫，规划居然对着我哈气。

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